Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB009N03LGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122618
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB009N03LGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | logic level |
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.95mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |