Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB180N06S4H1ATMA2
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122687
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB180N06S4H1ATMA2
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-7-3
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7-3 |
| Curent de drena in impuls | 720A |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |