Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB160N04S4LH1ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122685
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB160N04S4LH1ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TO263-7-3
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 160A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-7-3 |
Curent de drena in impuls | 640A |
Curent drena | 160A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 40V |
Tensiune poarta-sursa | -16...20V |