Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB160N04S4LH1ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB160N04S4LH1ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-7-3

Montare: SMD

Putere disipata: 167W

Curent drena: 160A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-7-3
Curent de drena in impuls 640A
Curent drena 160A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa -16...20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha