Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB80N08S2L07ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122744
-
16,78lei
- Fără TVA:14,10lei
-
- 5 sau mai multe 14,75lei
- 9 sau mai multe 10,41lei
- 20 sau mai multe 9,85lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB80N08S2L07ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 75V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 80A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 80A |
| Incarcatura poarta | 183nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6.8mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 75V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |