Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R199CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122715
-
24,28lei
- Fără TVA:20,41lei
-
- 3 sau mai multe 20,86lei
- 7 sau mai multe 14,75lei
- 15 sau mai multe 13,95lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R199CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 139W
Curent drena: 16A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 16A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.199Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |