Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099C6ATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 278W

Curent drena: 37.9A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO263-3
Curent drena	37.9A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	99mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare