Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB530N15N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122696
-
7,89lei
- Fără TVA:6,63lei
-
- 3 sau mai multe 6,75lei
- 10 sau mai multe 5,42lei
- 19 sau mai multe 4,81lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB530N15N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 68W
Curent drena: 21A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 21A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 53mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 150V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |