Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB50R299CPATMA1

Distribuie
  • 16,12lei

  • Fără TVA:13,54lei

  • 3 sau mai multe 13,89lei
  • 10 sau mai multe 9,83lei
  • 22 sau mai multe 9,30lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB50R299CPATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 104W

Curent drena: 12A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 12A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.299Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha