Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB50R299CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122695
-
16,12lei
- Fără TVA:13,54lei
-
- 3 sau mai multe 13,89lei
- 10 sau mai multe 9,83lei
- 22 sau mai multe 9,30lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB50R299CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 104W
Curent drena: 12A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 12A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.299Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 500V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |