Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB120N06S402ATMA2

Distribuie
  • 20,50lei

  • Fără TVA:17,23lei

  • 9 sau mai multe 10,08lei
  • 21 sau mai multe 9,53lei
  • 500 sau mai multe 9,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB120N06S402ATMA2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 188W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Incarcatura poarta 150nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha