Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB107N20NAATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122679
-
44,03lei
- Fără TVA:36,39lei
-
- 5 sau mai multe 42,34lei
- 25 sau mai multe 41,42lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (820 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB107N20NAATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 88A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 88A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |