Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N06S2L05ATMA2
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122676
-
28,67lei
- Fără TVA:24,09lei
-
- 5 sau mai multe 20,14lei
- 11 sau mai multe 19,05lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB100N06S2L05ATMA2
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 55V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 100A |
| Incarcatura poarta | 170nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.4mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 55V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |