Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB083N10N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122671
-
10,26lei
- Fără TVA:8,62lei
-
- 5 sau mai multe 9,06lei
- 12 sau mai multe 7,98lei
- 25 sau mai multe 7,96lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB083N10N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 80A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 80A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8.3mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |