Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB083N10N3GATMA1

Distribuie
  • 10,26lei

  • Fără TVA:8,62lei

  • 5 sau mai multe 9,06lei
  • 12 sau mai multe 7,98lei
  • 25 sau mai multe 7,96lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB083N10N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 125W

Curent drena: 80A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 80A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 8.3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha