Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB072N15N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122667
-
32,75lei
- Fără TVA:27,52lei
-
- 5 sau mai multe 22,05lei
- 10 sau mai multe 20,88lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB072N15N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 7.2mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 150V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |