Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB049NE7N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122660
-
12,51lei
- Fără TVA:10,34lei
-
- 5 sau mai multe 10,80lei
- 13 sau mai multe 7,65lei
- 30 sau mai multe 7,25lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB049NE7N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 75V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 150W
Curent drena: 80A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 80A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.9mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 75V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |