Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB049N08N5ATMA1

Distribuie
  • 15,52lei

  • Fără TVA:13,04lei

  • 10 sau mai multe 12,61lei
  • 12 sau mai multe 7,52lei
  • 28 sau mai multe 7,13lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB049N08N5ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 125W

Curent drena: 320A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 320A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 4.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha