Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO 263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB048N15N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122657
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO 263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB048N15N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 150V
Capsula: PG-TO 263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 118A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO 263-3 |
Curent de drena in impuls | 480A |
Curent drena | 118A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.8mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 150V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |