Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO 263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB048N15N5ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO 263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB048N15N5ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 150V

Capsula: PG-TO 263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 300W

Curent drena: 118A

Caracteristici
Carcasa PG-TO 263-3
Curent de drena in impuls 480A
Curent drena 118A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 4.8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 150V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha