Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB042N10N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122655
-
22,86lei
- Fără TVA:18,89lei
-
- 10 sau mai multe 10,75lei
- 21 sau mai multe 10,19lei
- 200 sau mai multe 9,60lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (858 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB042N10N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 100A
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.2mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
