Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB036N12N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122651
-
42,14lei
- Fără TVA:35,42lei
-
- 4 sau mai multe 25,67lei
- 9 sau mai multe 24,28lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB036N12N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 120V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 180A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 180A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.6mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 120V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |