Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB036N12N3GATMA1

Distribuie
  • 41,00lei

  • Fără TVA:34,45lei

  • 4 sau mai multe 24,96lei
  • 5 sau mai multe 24,94lei
  • 9 sau mai multe 23,61lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB036N12N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 120V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 300W

Curent drena: 180A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 180A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 120V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha