Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122650
-
18,31lei
- Fără TVA:15,13lei
-
- 3 sau mai multe 10,79lei
- 19 sau mai multe 10,21lei
- 1000 sau mai multe 10,20lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 100A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |
