Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1

Distribuie
  • 18,00lei

  • Fără TVA:15,13lei

  • 3 sau mai multe 10,61lei
  • 19 sau mai multe 10,04lei
  • 1000 sau mai multe 10,03lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 214W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 100A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha