Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122650
-
18,00lei
- Fără TVA:15,13lei
-
- 3 sau mai multe 10,61lei
- 19 sau mai multe 10,04lei
- 1000 sau mai multe 10,03lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB035N08N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 100A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 100A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 80V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |