Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB031NE7N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122646
-
18,30lei
- Fără TVA:15,13lei
-
- 5 sau mai multe 15,78lei
- 9 sau mai multe 10,78lei
- 21 sau mai multe 10,21lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB031NE7N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 75V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 214W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 100A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.1mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 75V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |