Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB029N06N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122643
-
16,20lei
- Fără TVA:13,38lei
-
- 10 sau mai multe 11,80lei
- 17 sau mai multe 5,78lei
- 39 sau mai multe 5,48lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB029N06N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 188W
Curent drena: 120A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 120A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.9mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |