Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1

Distribuie
  • 13,82lei

  • Fără TVA:11,62lei

  • 5 sau mai multe 12,93lei
  • 8 sau mai multe 12,49lei
  • 17 sau mai multe 11,81lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (798 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha