Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122631
-
13,82lei
- Fără TVA:11,62lei
-
- 5 sau mai multe 12,93lei
- 8 sau mai multe 12,49lei
- 17 sau mai multe 11,81lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (798 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N06L3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 120A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO263-3 |
Curent drena | 120A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.9mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |