STIMATI CLIENTI, VA INFORMAM CA IN PERIOADA 7-24 AUGUST 2025, MAGAZINUL VA FI INCHIS. COMENZILE INTRATE IN ACEASTA PERIOADA VOR FI PROCESATE SI EXPEDIATE INCEPAND CU 25 AUGUST 2025.

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1

Distribuie
  • 22,31lei

  • Fără TVA:18,44lei

  • 5 sau mai multe 20,08lei
  • 6 sau mai multe 16,02lei
  • 14 sau mai multe 15,17lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB015N04LGATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 120A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 120A
Incarcatura poarta 260nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha