Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R3K3C6ATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252

Montare: SMD

Putere disipata: 18.1W

Curent drena: 1.1A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO252
Curent de drena in impuls	4A
Curent drena	1.1A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	3.3Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	650V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare