Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD90R1K2C3BTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122880
-
8,47lei
- Fără TVA:7,11lei
-
- 3 sau mai multe 7,27lei
- 10 sau mai multe 5,80lei
- 18 sau mai multe 5,15lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD90R1K2C3BTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 900V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 3.2A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 3.2A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 900V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |