Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R2K8CEBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122867
-
5,37lei
- Fără TVA:4,44lei
-
- 5 sau mai multe 4,53lei
- 12 sau mai multe 3,04lei
- 67 sau mai multe 2,89lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R2K8CEBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 42W
Curent drena: 1.1A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 1.1A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.8Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |