Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R2K4P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122866
-
6,40lei
- Fără TVA:5,29lei
-
- 10 sau mai multe 4,96lei
- 35 sau mai multe 2,73lei
- 82 sau mai multe 2,59lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R2K4P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 22W
Curent drena: 1.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 1.7A |
| Incarcatura poarta | 7.5nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |