Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R280P7ATMA1

Distribuie
  • 21,68lei

  • Fără TVA:18,22lei

  • 5 sau mai multe 19,12lei
  • 11 sau mai multe 18,10lei
  • 100 sau mai multe 17,09lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R280P7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 800V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 101W

Curent drena: 10.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 10.6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.28Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 800V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha