Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122863
-
5,80lei
- Fără TVA:4,87lei
-
- 5 sau mai multe 4,98lei
- 25 sau mai multe 4,16lei
- 26 sau mai multe 3,50lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2500 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 32W
Curent drena: 2.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 2.7A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |