Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122862
-
11,50lei
- Fără TVA:9,66lei
-
- 5 sau mai multe 9,88lei
- 13 sau mai multe 7,02lei
- 31 sau mai multe 6,63lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 63W
Curent drena: 2.3A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 2.3A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |