Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122862
-
10,57lei
- Fără TVA:8,74lei
-
- 10 sau mai multe 6,92lei
- 31 sau mai multe 6,90lei
- 100 sau mai multe 6,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K4CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 63W
Curent drena: 2.3A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 2.3A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |