STIMATI CLIENTI, VA INFORMAM CA IN PERIOADA 7-24 AUGUST 2025, MAGAZINUL VA FI INCHIS. COMENZILE INTRATE IN ACEASTA PERIOADA VOR FI PROCESATE SI EXPEDIATE INCEPAND CU 25 AUGUST 2025.

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K2P7ATMA1

Distribuie
  • 5,46lei

  • Fără TVA:4,51lei

  • 5 sau mai multe 4,52lei
  • 10 sau mai multe 4,45lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K2P7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 800V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 37W

Curent drena: 3.1A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 3.1A
Incarcatura poarta 11nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 800V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha