Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K0CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122860
-
3,58lei
- Fără TVA:2,96lei
-
- 10 sau mai multe 3,26lei
- 39 sau mai multe 2,49lei
- 91 sau mai multe 2,35lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2399 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K0CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 5.7A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 5.7A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |