Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K0CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122860
-
8,82lei
- Fără TVA:7,41lei
-
- 3 sau mai multe 7,60lei
- 5 sau mai multe 5,11lei
- 39 sau mai multe 4,82lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD80R1K0CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 83W
Curent drena: 5.7A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 5.7A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |