Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD78CN10NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122859
-
10,26lei
- Fără TVA:8,62lei
-
- 3 sau mai multe 4,92lei
- 10 sau mai multe 4,37lei
- 24 sau mai multe 3,82lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD78CN10NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 31W
Curent drena: 13A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 13A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 78mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |