Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R950CFDBTMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 36.7W

Curent drena: 3.9A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO252-3
Curent drena	3.9A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.95Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	650V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare