Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R660CFDBTMA1

Distribuie
  • 9,09lei

  • Fără TVA:7,64lei

  • 3 sau mai multe 7,90lei
  • 10 sau mai multe 6,31lei
  • 17 sau mai multe 5,54lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R660CFDBTMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 62.5W

Curent drena: 6A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.66Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha