Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R660CFDBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122847
-
8,98lei
- Fără TVA:7,55lei
-
- 3 sau mai multe 7,79lei
- 10 sau mai multe 6,24lei
- 17 sau mai multe 5,48lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R660CFDBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 62.5W
Curent drena: 6A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 6A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.66Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |