Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R420CFDBTMA1

Distribuie
  • 11,73lei

  • Fără TVA:9,86lei

  • 3 sau mai multe 10,02lei
  • 10 sau mai multe 8,09lei
  • 13 sau mai multe 7,15lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R420CFDBTMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 83.3W

Curent drena: 8.7A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 8.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.42Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha