Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R250E6XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122835
-
18,82lei
- Fără TVA:15,55lei
-
- 3 sau mai multe 16,20lei
- 9 sau mai multe 11,66lei
- 20 sau mai multe 11,02lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R250E6XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 208W
Curent drena: 16.1A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 16.1A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.25Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |