Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4CFDBTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122832
-
5,56lei
- Fără TVA:4,67lei
-
- 3 sau mai multe 4,82lei
- 10 sau mai multe 3,86lei
- 27 sau mai multe 3,39lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4CFDBTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 28.4W
Curent drena: 2.8A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 2.8A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |