Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4C6ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122831
-
5,73lei
- Fără TVA:4,82lei
-
- 3 sau mai multe 3,83lei
- 10 sau mai multe 3,36lei
- 12 sau mai multe 3,03lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD65R1K4C6ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 28.4W
Curent drena: 2.8A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent drena | 2.8A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 650V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |