Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R280P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122818
-
8,69lei
- Fără TVA:7,30lei
-
- 5 sau mai multe 7,73lei
- 25 sau mai multe 7,15lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2302 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R280P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 53W
Curent drena: 8A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent drena | 8A |
| Incarcatura poarta | 18nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.28Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |