Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD600N25N3GATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD600N25N3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 250V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 136W

Curent drena: 18A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent de drena in impuls 100A
Curent drena 18A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 60mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 250V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha