Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD600N25N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122814
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD600N25N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 250V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 136W
Curent drena: 18A
Caracteristici
Carcasa | PG-TO252-3 |
Curent de drena in impuls | 100A |
Curent drena | 18A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 60mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 250V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |