Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R399CPBTMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 83W

Curent drena: 9A

Caracteristici

Carcasa	PG-TO252-3
Curent drena	9A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.399Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	500V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare