Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD33CN10NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122795
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD33CN10NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO252-3
Montare: SMD
Putere disipata: 58W
Curent drena: 20A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO252-3 |
| Curent de drena in impuls | 108A |
| Curent drena | 20A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 33mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |